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第三十九章 载流子迁移率(1/2)

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( ) 周日。

许秋来到实验室。

段云正戴着耳机专心码字,陈婉清则在桌位上整理着纸质文献。

许秋先和段云打了声招呼,然后走到陈婉清旁边坐下。

“学姐,en基底的事有消息了吗?”

“嗯嗯,我联系了几家做光电材料的厂家,其中一家有现成的en基底,”陈婉清道:“不过他们只做大面积的基底,最少要买1米乘10米,我就按最小的规格买了,估计一周之内就能到。”

“大面积的基底,”许秋问道:“指的是一整张10平方米面积的en基底,上面均匀镀有ito吗?”

“没错。”陈婉清道。

“可我们用的玻璃基片上ito是有图案的啊。”许秋道。

“那么就需要先将大块的基片裁剪为一平方英寸的小片,然后再把不需要的ito蚀刻掉,得到图案化的ito基底。”陈婉清道。

“好吧,我明白了,”许秋道:“那学姐有现成的蚀刻条件吗?”

“好像没有哦。”陈婉清歪头想了想道。

“好像?”许秋在心里嘀咕了一句,说道:“好吧,那我找找看。”

他掏出电脑,再次翻看那几篇柔性衬底的文献。

很快,他就在其中一篇文献的实验信息部分,看到了他们给出的蚀刻ito的条件:

在2摩尔每升的稀盐酸中加入锌粉,随后放入ito基片,与溶液接触的部分将被蚀刻掉。

不过,现在en/ito基片还没有到,他只能先把这个方法记下,然后向陈婉清汇报:

“学姐,我找到ito的蚀刻方法了。”

“这么快就找到啦,让我看看。”陈婉清凑过头,看了看许秋的电脑。

“我想起来了,这是经典的湿法蚀刻方法,我记得还有一种干法蚀刻……”看到许秋在盯着她看,陈婉清小声说道:

“如果我说我刚刚真的没想起来,你会相信吗?”

“我信。”许秋无奈的摊摊手。

…………

今天没有实验做,许秋在实验室里逛了一圈,想看看还有什么自己不熟悉的仪器。

结果,他惊奇的发现,整个实验室里,除了电化学工作站外,仅有一台仪器是他还没有用过的。

那台仪器,他还依稀有些印象,好像是在田晴的毕业答辩t上出现过。

考虑到下周开始考试周后,他有近一个月时间不来实验室,许秋决定今天把这台仪器搞定了。

于是,他找到陈婉清。

“学姐,实验室里那台仪器是干什么用的呢,可以教我吗?”

“那一台呀,是用来测试celiv和tof的,”陈婉清道:“主要是田晴在使用,她的毕业设计就是做这个的。

不过,当初魏老师也把测试方法教给了其他人,我也会操作,只是数据分析方面就不太行了。

两台仪器主要是用来表征电池器件中载流子的输运情况,是比较偏向于理论研究的。

通过建立模型、拟合数据,据说可以得到很多电荷输运动力学的信息。

但我现在只会简单的计算载流子迁移率。

在半导体领域,电子和空穴被称为载流子,它们的迁移率可以理解为它们在器件中移动的速率,通常是越快越好。

这仪器在我学会后就一直没用过,要不是你提醒,我都想不到可以测试一下这个。”

“在测试前,我先给你看个宝贝。”陈婉清神秘道。

“宝贝?”许秋疑惑的跟着学姐,她的行进方向是一个储物柜。

陈婉清从储物柜中取出一个黑色的方形纸盒,示意许
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